on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SC-59 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 80@5mA@10V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | SC-59 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Typical Input Resistor | 10 |
| 引脚数 | 3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.25@0.3mA@10mA |
| 最大功率耗散 | 338 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SC-59 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 47k |
| 功率 - 最大 | 230mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 80 @ 5mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MUN2214T1GOSCT |
| 外形尺寸 | 2.9 x 1.5 x 1.09mm |
| 身高 | 1.09mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25 V |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-59 |
| 典型输入电阻 | 10 kΩ |
| 宽度 | 1.5mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 338 mW |
| 连续集电极电流 | 100 mA |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 直流电流增益（最小值） | 80 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 直流电流增益 | 80 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :50V |
| Continuous Collector Current Ic | :100mA |
| Base Input Resistor R1 | :10kohm |
| Base-Emitter Resistor R2 | :47kohm |
| Resistor Ratio, R1 / R2 | :4.7 |
| RF Transistor Case | :SC-59 |
| No. of Pins | :3 |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| MSL | :- |
| Weight (kg) | 0.000032 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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