on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 2 A |
| RDS -于 | 6000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 典型下降时间 | 19 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Rail |
| Maximum Drain Source Resistance | 6000@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 75000 |
| 最大连续漏极电流 | 2 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 其他名称 | MTP2P50EGOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1183pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.28 x 4.82 x 9.28mm |
| 身高 | 9.28mm |
| 长度 | 10.28mm |
| 最大漏源电阻 | 6 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 19 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 845 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.82mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 2 A |
| 正向跨导 - 闵 | 0.5 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 6 Ohms |
| 功率耗散 | 75 W |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 上升时间 | 14 ns |
| 漏源击穿电压 | - 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 19 ns |
| Continuous Drain Current Id | :2A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :6ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :75W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :2A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| No. of Transistors | :1 |
| On State Resistance Max | :6ohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :6A |
| Voltage Vds Typ | :-500V |
| Voltage Vgs Max | :3V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :-10V |
| Voltage Vgs th Max | :-4V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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