图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MUN(2,5)112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3 |
| 文档 |
Glue Mount Process 11/July/2008 Gold to Copper Wire 14/Oct/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 14/Oct/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 22k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 22k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 246mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 60@5mA@10V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@0.3mA@10mA |
| 包装宽度 | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 400 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 0.94 |
| 典型输入电阻 | 22 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 22k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 22k |
| 功率 - 最大 | 246mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 5mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMUN2112LT1GOSCT |
| 外形尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| 身高 | 1.01mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25 V |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 典型输入电阻 | 21 kΩ |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 直流电流增益（最小值） | 60 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 直流电流增益 | 60 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :50V |
| Continuous Collector Current Ic | :100mA |
| Base Input Resistor R1 | :22kohm |
| Base-Emitter Resistor R2 | :22kohm |
| Resistor Ratio, R1 / R2 | :1 |
| RF Transistor Case | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| MSL | :- |
| Weight (kg) | 0.000033 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 80-4-5 |
MMUN2112LT1G也可以通过以下分类找到
MMUN2112LT1G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家