图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:161810 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:109280 |
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最小起订量:1 美国纽约 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:109280 |
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最小起订量:240 阿姆斯特丹 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 10 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 10k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 246mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 封装 | Cut Tape (CT) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 10k |
| 功率 - 最大 | 246mW |
| 标准包装 | 10 |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 35 @ 5mA, 10V |
| 其他名称 | MMUN2111LT1OSCT |
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