ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最小直流电流增益 | 10000@10mA@5V|20000@100mA@5V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| Package Height | 0.94 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.3 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@0.1mA@100mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 1.3 |
| PCB | 3 |
| Package Length | 2.9 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 300mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 125MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20000 @ 100mA, 5V |
| 其他名称 | MMBTA14LT1OSCT |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 频率 - 跃迁 | 125MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20000 @ 100mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 300mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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