on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
| 最大工作频率 | 100(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@10mA@100mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 4 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBTA06LT1GOSCT |
| 类别 | Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 0.94 x 2.9 x 1.3mm |
| 身高 | 0.94mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 最大基地发射极电压 | 4 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 宽度 | 1.3mm |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 4 V |
| 频率（最大） | 100 MHz |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 频率 | 100 MHz |
| 直流电流增益 | 100 |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| Transition Frequency ft | :100MHz |
| 功耗 | :225mW |
| DC Collector Current | :500mA |
| DC Current Gain hFE | :100 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.000033 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Collector Emitter Voltage Vces | :250mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :500mA |
| Current Ic Continuous a Max | :500mA |
| Current Ic hFE | :100mA |
| Gain Bandwidth ft Min | :100MHz |
| Hfe Min | :100 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :225mW |
| SMD Marking | :1GM |
| 胶带宽度 | :8mm |
| Voltage Vcbo | :80V |
| Current,Collector | 500mA |
| Current,Gain | 100 |
| PackageType | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 225mW |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 80V |
| Voltage,CollectortoBase | 80V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 80V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.25V |
| Voltage,EmittertoBase | 4V |
| 案例 | SOT23 |
| Transistor type | NPN |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Gross weight | 0.03 g |
| Collector current | 500mA |
| Collective package [pcs] | 3000 |
| spg | 3000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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