on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 15 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 A |
| 最小直流电流增益 | 20@3mA@1V |
| 最大工作频率 | 600(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@1mA@10mA V |
| 最大集电极基极电压 | 30 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.05 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 输出功率 | 0.03(Min) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 3 |
| Maximum Transition Frequency | 600(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大集电极发射极电压 | 15 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 6dB @ 60MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 600MHz |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 3mA, 1V |
| 其他名称 | MMBT918LT1GOSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 at 3 mA at 1 V |
| 增益带宽产品fT | 600 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.05 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.05 A |
| 集电极 - 基极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 15 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3 V |
| 频率（最大） | 600 MHz |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 20 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 600 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 0.05 A |
| 直流电流增益 | 20 |
| 频率 - 跃迁 | 600MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 增益 | 11dB |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 3mA, 1V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 6dB @ 60MHz |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
| 最大直流集电极电流 | 0.05 A |
| 高度 | 1.01mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1 V 直流 |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大发射极-基极电压 | 3 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 15 V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V 直流 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 宽度 | 1.4mm |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| 最小直流电流增益 | 20 |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V 直流 |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大工作频率 | 100 MHz |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 2.9 mm |
| 系列 | MMBT918L |
| 身高 | 0.94 mm |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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