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厂商型号:

MMBT489LT1G

芯天下内部编号:
277-MMBT489LT1G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 2 A
最小直流电流增益 300@50mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.2@100mA@1A|0.125@50mA@0.5A|0.075@1mA@0.1A V
最大集电极基极电压 50 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 710 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 710
Maximum Emitter Base Voltage 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 30
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 200mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 710mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 300 @ 500mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MMBT489LT1GOSCT
类别 Switching
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
身高 1.11mm
长度 3.04mm
最大的基射极饱和电压 1.1 V
最大基地发射极电压 5 V dc
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
宽度 2.64mm
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.2 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 300 at 50 mA at 5 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1 A
集电极电流( DC)(最大值) 2 A
集电极 - 基极电压 50 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 100 MHz
功率耗散 0.71 W
工作温度范围 -55C to 150C
元件数 1
直流电流增益(最小值) 300
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 100 MHz
集电极电流(DC ) 2 A
直流电流增益 300
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :30V
Transition Frequency ft :100MHz
功耗 :310mW
DC Collector Current :1A
DC Current Gain hFE :300
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412100

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