on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2V |
| 最大工作频率 | 200(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 200(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBT4403LT3GOSCT |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.75 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 at 0.1 mA at 1 V |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 0.6 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.6 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 200 MHz |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 200 MHz |
| 直流电流增益 | 30 |
| 集电极电流（DC ） | 0.6 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
| Transition Frequency ft | :200MHz |
| 功耗 | :225mW |
| DC Collector Current | :-600mA |
| DC Current Gain hFE | :100 |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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