on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 A |
| RDS -于 | 5000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10(Max) ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 5000@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大功率耗散 | 225 |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 500mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 60pF @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBF170LT1GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
| 身高 | 0.94mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 最大漏源电阻 | 5 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.225 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 典型输入电容@ VDS | 60 pF V @ 10 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 宽度 | 1.3mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 500 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 0.45 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 5 Ohms |
| 功率耗散 | 0.225 W |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 0.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 5 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :500mA |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :5ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :225mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :500mA |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :60V |
| Voltage Vgs Max | :3V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.000008 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Drain | 0.5A |
| PackageType | SOT-23(TO-236) |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 225mW |
| Resistance,DraintoSourceOn | 5Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 10ns |
| Time,Turn-OnDelay | 10ns |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 60V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 案例 | SOT23 |
| Transistor type | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 60V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 500mA |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.03 g |
| Collective package [pcs] | 9000 |
| spg | 9000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
