on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 150 V |
| 集电极最大直流电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 40@100mA@2V|40@2A@2V|40@3A@2V|20@4A@2V |
| 最大工作频率 | 30(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.1A@1A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 50000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 50000 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 30(Min) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大集电极发射极电压 | 150 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 30MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 150V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 4A, 2V |
| 其他名称 | MJE15031GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 9.28 x 10.28 x 4.82mm |
| 身高 | 9.28mm |
| 长度 | 10.28mm |
| 最大集电极基极电压 | 150 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 宽度 | 4.82mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 8 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 150 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 150 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 30 MHz |
| 功率耗散 | 50 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 40 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 30 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 8 A |
| 直流电流增益 | 40 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :150V |
| Transition Frequency ft | :30MHz |
| 功耗 | :2W |
| DC Collector Current | :8A |
| DC Current Gain hFE | :40 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Alternate Case Style | :SOT-78B |
| Av Current Ic | :8A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :-500mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :8A |
| Current Ic Continuous a Max | :8A |
| Current Ic hFE | :4A |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Min | :30MHz |
| Gain Bandwidth ft Typ | :30MHz |
| Hfe Min | :20 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :50W |
| Pulsed Current Icm | :16A |
| Voltage Vcbo | :150V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Collector | 8A |
| Current,Gain | 20 |
| PackageType | TO-220AB |
| 极性 | PNP |
| PowerDissipation | 50W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 2.5°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 150V |
| Voltage,CollectortoBase | 150V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 150V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.5V |
| Voltage,EmittertoBase | 5V |
| 案例 | TO220 |
| Transistor type | PNP |
| 功率 | 50W |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 150V |
| Gross weight | 2.87 g |
| Collector current | 8A |
| Collective package [pcs] | 300 |
| spg | 300 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
