on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6MCPH |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.35@N Channel|0.2@P Channel A |
| RDS -于 | 3700@4V@N Channel|10400@4V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 19@N Channel|24@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 65@N Channel|55@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 155@N Channel|120@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 120@N Channel|130@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 0.88(Max) |
| 最大功率耗散 | 800 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 3700@4V@N Channel|10400@4V@P Channel |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 1.6 |
| 供应商封装形式 | MCPH |
| Package Length | 2 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 0.35@N Channel|0.2@P Channel |
| 引脚数 | 6 |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 350mA, 200mA |
| 供应商设备封装 | 6-MCPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.58nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 6-SMD, No Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 350 mA, -200 mA |
| RDS（ON） | 3.7 Ohms |
| 功率耗散 | 800 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | MCPH-6 |
| 栅极电荷Qg | 1.58 nC |
| 上升时间 | 65 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V, -30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 120 nS |
| 栅源电压（最大值） | �10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | MCPH |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 0.85mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 7 pF@ 10 V, 7.5 pF@ -10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 5.2 Ω，15.4 Ω |
| 通道类型 | N，P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V |
| 最大功率耗散 | 0.8 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 19 (N) ns, 24 (P) ns |
| 典型关断延迟时间 | 120 ns, 155 ns |
| 封装类型 | MCPH |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA，350 mA |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.43 nC @ -10 V（P 通道），1.58 nC @ 10 V（N 通道） |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Qg - Gate Charge | 1.58 nC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 350 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 Ohms |
| 系列 | MCH6613 |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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