ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | P |
| 配置 | Quad Drain |
| 外形尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 身高 | 0.85mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大连续漏极电流 | -5 A |
| 最大漏源电阻 | 98 mΩ |
| 最大漏源电压 | -12 V |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | MCPH 6 |
| 引脚数 | 6 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 6.9 nC @ -4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 660 pF @ -6 V |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 典型导通延迟时间 | 7.4 ns |
| 宽度 | 1.6mm |
| 高度 | 0.85mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 660 pF @ -6 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 98 mΩ |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 7.4 ns |
| 典型关断延迟时间 | 72 ns |
| 封装类型 | MCPH |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.9 nC @ -4.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 系列 | MCH6336 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 5 A |
| 封装 | Reel |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 43 mOhms |
| 封装/外壳 | SOT-363-6 |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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