on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 16PDIP |
| 配置 | Array 7 |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@350mA@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | PDIP |
| 标准包装名称 | PDIP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 封装 | Rail |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1... |
| 每个芯片的元件数 | 7 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.5 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 引脚数 | 16 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | 7 NPN Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | 16-PDIP |
| 封装/外壳 | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 350mA, 2V |
| 其他名称 | MC1413BPGOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.5 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 50 V |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | PDIP |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 7 |
| 直流电流增益 | 1000 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :50V |
| DC Collector Current | :500mA |
| DC Current Gain hFE | :1000 |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| Operating Temperature Max | :85°C |
| Weight (kg) | 0.00091 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Current,Collector | 500mA |
| NumberofTransistors | 7 |
| PackageType | PDIP-16 |
| 极化方式 | NPN |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 22 |
| Voltage,Input | 30V |
| Voltage,Output | 50V |
| Voltage,Saturation,CollectortoEmitter | 1.6V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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