ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4.4 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 17@10V@N Channel|26@10V@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOP |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N|P |
| 包装长度 | 5 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Depletion |
| 包装高度 | 1.5 |
| 最大连续漏极电流 | 10@N Channel|8@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1000pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| RDS（ON） | 17 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOP-8 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17 mOhms |
| 技术 | Si |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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