ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A |
| 供应商设备封装 | 8-EMH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 3A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 580pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6.3nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.75mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 580 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 消耗 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 2 x 1.7 x 0.75mm |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 310 ns |
| 典型关断延迟时间 | 3000 ns |
| 封装类型 | EMH |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 共漏极 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | EMH2407 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
| 封装/外壳 | EMH-8 |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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