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厂商型号:

ECH8668-TL-H

芯天下内部编号:
277-ECH8668-TL-H
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8ECH
渠道类型 N|P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 7.5@N Channel|5@P Channel A
RDS -于 17@4.5V@N Channel|38@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压 ±10 V
典型导通延迟时间 17.5@N Channel|14@P Channel ns
典型上升时间 120@N Channel|55@P Channel ns
典型关闭延迟时间 68@N Channel|92@P Channel ns
典型下降时间 80@N Channel|68@P Channel ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±10
Package Width 2.3
PCB 8
最大功率耗散 1500
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 17@4.5V@N Channel|38@4.5V@P Channel
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 ECH
标准包装名称 ECH
最高工作温度 150
Package Length 2.9
引脚数 8
Package Height 0.93(Max)
最大连续漏极电流 7.5@N Channel|5@P Channel
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7.5A, 5A
供应商设备封装 8-ECH
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 17 mOhm @ 4A, 4.5V
FET型 N and P-Channel
功率 - 最大 1.5W
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1060pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 10.8nC @ 4.5V
封装/外壳 8-SMD, Flat Lead
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
高度 0.9mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 2.9mm
典型输入电容值@Vds 1060 pF @ 10 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 2
最大漏源电阻值 48 mΩ,98 mΩ
通道类型 N,P
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
最大栅阈值电压 1.3V
最大功率耗散 1.3 W
最大栅源电压 ±10 V
宽度 2.3mm
尺寸 2.9 x 2.3 x 0.9mm
最大漏源电压 20 V
典型接通延迟时间 17.5 ns
典型关断延迟时间 68 ns
封装类型 ECH
最大连续漏极电流 5 A,7.5 A
引脚数目 8
晶体管配置 隔离式
典型栅极电荷@Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
工厂包装数量 3000
系列 ECH8668
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current 7.5 A, 5 A
安装风格 SMD/SMT
通道数 2 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 17 mOhms, 38 mOhms
封装/外壳 ECH-8
技术 Si

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