on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8ECH |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 24 V |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| RDS -于 | 23@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 300 ns |
| 典型上升时间 | 1000 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 3000 ns |
| 典型下降时间 | 1800 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| Package Width | 2.3 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 最大漏源电压 | 24 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 23@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | ECH |
| 标准包装名称 | ECH |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 2.9 |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 0.93(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Ta) |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商设备封装 | 8-ECH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 24V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.5nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source Dual Gate |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| RDS（ON） | 17 mOhms |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 7.5 nC |
| 上升时间 | 1000 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 24 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 1800 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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