on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 25@1A@4V|10@3A@4V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@0.6A@3A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 40 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.2V @ 600mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 25 @ 1A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 25 at 1 A at 4 V |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 90 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 10.53 mm |
| 系列 | BD241C |
| 身高 | 15.75 mm |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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