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厂商型号:

BC847BWT1G

芯天下内部编号:
277-BC847BWT1G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SC-70
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 200@2mA@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V
最大集电极基极电压 50 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 150 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 100(Min)
Package Width 1.24
PCB 3
最大功率耗散 150
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
最大集电极发射极电压 45
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
最高工作温度 150
Package Length 2.1
Package Height 0.85
Maximum Emitter Base Voltage 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SC-70-3 (SOT323)
功率 - 最大 150mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BC847BWT1GOSCT
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.6 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 150 at 10 uA at 5 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.1 A
集电极 - 基极电压 50 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 100 MHz
功率耗散 0.15 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SC-70
元件数 1
直流电流增益(最小值) 200
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 100 MHz
直流电流增益 200
集电极电流(DC ) 0.1 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :45V
Transition Frequency ft :100MHz
功耗 :150mW
DC Collector Current :100mA
DC Current Gain hFE :200
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
RF Transistor Case :SOT-323
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Transistor Case Style :SOT-323
Weight (kg) 0.000006
Tariff No. 85412900
Continuous Collector Current Ic :100mA
Gain Bandwidth ft Typ :100MHz
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD

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