ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Tc) |
| 供应商设备封装 | TO-3PF |
| 其他名称 | WPH4003-1EOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 55W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1700V (1.7kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 850pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 48nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 Full Pack |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| RDS（ON） | 8.2 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 55 W |
| 封装/外壳 | TO-3PF |
| 栅极电荷Qg | 48 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 200 ns |
| 上升时间 | 21 ns |
| 漏源击穿电压 | 1700 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 55 ns |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-3PF |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 850pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.5A (Tc) |
| 功率 - 最大值 | 55W |
| 高度 | 24.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 15.5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF @ 30 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 10.5 Ω |
| 通道类型 | N |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 55 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 5.5mm |
| 尺寸 | 15.5 x 5.5 x 24.5mm |
| 最大漏源电压 | 1700 V |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns |
| 典型关断延迟时间 | 200 ns |
| 封装类型 | TO-3PF |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 30 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1700 V |
| Qg - Gate Charge | 48 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.2 Ohms |
| 系列 | WPH4003 |
| 典型导通延迟时间 | 19 ns |
| Pd - Power Dissipation | 55 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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