ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.6V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | 8-VEC |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 80 mOhm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 505pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 505pF @ 20V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 80 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 420 pF@ -20 V, 505 pF@ 20 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.75mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 8 mΩ，137 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N，P |
| 最大功率耗散 | 0.9 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 2.3mm |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.75mm |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 6.4 (P) ns, 7.3 (N) ns |
| 典型关断延迟时间 | 41 ns, 65 ns |
| 封装类型 | VEC |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A，3 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V，11 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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