ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 45 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 零件号别名 | SSVD5804NT4G |
| 下降时间 | 5.9 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 12 S |
| Id - Continuous Drain Current | 69 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.7 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 26.8 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 典型导通延迟时间 | 11.8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 71 W |
| 上升时间 | 18.7 ns |
| 技术 | Si |
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