1. SMUN5212T1G
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厂商型号

SMUN5212T1G 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased SS BRT NPN 50V PB FR

内部编号

277-SMUN5212T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:111000
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:4375
3000+¥0.28
最小起订量:3000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:4375
100+¥0.349
200+¥0.336
500+¥0.322
1000+¥0.321
2500+¥0.318
最小起订量:100
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SMUN5212T1G产品详细规格

规格书 MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
最小直流电流增益 60@5mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 22
引脚数 3
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.3mA@10mA
最大功率耗散 310
筛选等级 Automotive
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Single
类型 NPN
典型电阻器比率 1
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 22k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-70-3 (SOT323)
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 22k
功率 - 最大 202mW
标准包装 3,000
封装/外壳 SC-70, SOT-323
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 5mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
峰值直流集电极电流 100 mA
晶体管极性 NPN
典型输入电阻 22 KOhms
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA, 10mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) 22k
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 5mA, 10V
封装/外壳 SC-70, SOT-323
功率 - 最大值 202mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) 22k
工厂包装数量 3000
系列 MUN5212
品牌 ON Semiconductor
身高 0.85 mm
宽度 1.24 mm
长度 2.1 mm
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 100 mA

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