图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
NTD5805N |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | * |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.5 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 47W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 51A (Tc) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1725pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 80nC @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | NTD5805N |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 51 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.5 mOhms |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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