NVD4810NT4G

产品描述

MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM

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美国加州
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规格书	NTD4810N
FET特点	Logic Level Gate
封装	*
安装类型	*
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
封装/外壳	*
供应商设备封装	*
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	10 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.4W
标准包装	2,500
漏极至源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	9A (Ta), 54A (Tc)
输入电容（Ciss ） @ VDS	1350pF @ 12V
闸电荷（Qg ） @ VGS	11nC @ 4.5V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
晶体管极性	N-Channel
系列	NTD4810N
品牌	ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current	54 A
安装风格	SMD/SMT
Rds On - Drain-Source Resistance	10 mOhms
技术	Si
RoHS	RoHS Compliant

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