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数量:0 |
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| 规格书 |
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| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | * |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.41W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12.7A (Ta), 95A (Tc) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2865pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 48nC @ 11.5V |
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