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Thumbnail NUD3124LT1G Thumbnail NUD3124LT1G Thumbnail NUD3124LT1G
厂商型号:

NUD3124LT1G

芯天下内部编号:
277-NUD3124LT1G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 28 V
最大连续漏极电流 0.15 A
RDS -于 800@5V mOhm
最大门源电压 12 V
典型上升时间 725|708 ns
典型下降时间 556|2086 ns
工作温度 -40 to 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 125
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -40
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 800@5V
最大漏源电压 28
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 225
最大连续漏极电流 0.15
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
输出数 1
安装类型 Surface Mount
电流 - 输出/通道 200mA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
导通状态电阻 800 mOhm
输入类型 Non-Inverting
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
类型 Low Side
其他名称 NUD3124LT1GOSTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 12 V
连续漏极电流 0.15 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 800 mOhms at 5 V
功率耗散 225 mW
最低工作温度 - 40 C
上升时间 725 ns, 708 ns
最高工作温度 + 125 C
漏源击穿电压 28 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 725 ns, 708 ns
漏极电流(最大值) 0.15 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) 12 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.8 ohm
工作温度范围 -40C to 125C
包装类型 SOT-23
极性 N
元件数 1
工作温度分类 Automotive
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 28 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
导通电阻 800 mOhm
系列 MicroIntegration™
操作温度 -40°C ~ 125°C
输入类型 Non-Inverting
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
类型 Low Side
电流 - 输出/通道 200mA
输出数 1
输出数目 1
Board Level Components Y
最高工作温度 +125 °C
高度 1.01mm
最大工作电源电压 28 V
安装类型 表面贴装
最低工作温度 -40 °C
宽度 1.4mm
封装类型 SOT-23
引脚数目 3
长度 3.04mm
驱动器数目 1
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
峰值输出电流 150mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 28 V
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
宽度 1.3 mm
产品 MOSFET Small Signal
品牌 ON Semiconductor
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 150 mA
长度 2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 800 mOhms
系列 NUD3124
身高 0.94 mm
Pd - Power Dissipation 225 mW
技术 Si

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