on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 A |
| RDS -于 | 900@5V mOhm |
| 最大门源电压 | 6 V |
| 典型上升时间 | 32|30 ns |
| 典型下降时间 | 23|53 ns |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | 6 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 85 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 900@5V |
| 最大漏源电压 | 6 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大功率耗散 | 225 |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 输出数 | 1 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 输出/通道 | 400mA |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 导通状态电阻 | 900 mOhm |
| 输入类型 | Non-Inverting |
| 电流 - 峰值输出 | 500mA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 类型 | Low Side |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NUD3105LT1GOSCT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 6 V |
| 连续漏极电流 | 0.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 900 mOhms at 5 V |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 上升时间 | 32 ns, 30 ns |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 漏源击穿电压 | 6 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 32 ns, 30 ns |
| 漏极电流（最大值） | 0.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | 6 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.9 ohm |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 极性 | N |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 6 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| DriverType | Motor |
| PrimaryType | Drivers |
| 导通电阻 | 900 mOhm |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 输入类型 | Non-Inverting |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 类型 | Low Side |
| 电流 - 输出/通道 | 400mA |
| 输出数 | 1 |
| 电流 - 峰值输出 | 500mA |
| 输出数目 | 1 |
| 输入逻辑兼容性 | CMOS，TTL |
| 最高工作温度 | +85 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大工作电源电压 | 5 V |
| 高度 | 1.01mm |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最小工作电源电压 | 3 V |
| 驱动器类型 | 高侧 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 驱动器配置 | 单路 |
| 引脚数目 | 3 |
| 长度 | 3.04mm |
| 驱动器数目 | 1 |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| 高压侧和低压侧相关性 | 独立 |
| 峰值输出电流 | 0.5A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 6 V |
| 宽度 | 1.3 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 6 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 500 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 900 mOhms |
| 系列 | NUD3105 |
| 身高 | 0.94 mm |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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