所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 连续漏极电流 | 19.4 A |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | WDFN EP |
| 封装 | Tape and Reel |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | NTTFS4C05N |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 75 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6 mOhms |
| 封装/外壳 | WDFN-8 |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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