ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 6-UDFN (1.6x1.6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 600mW |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN Exposed Pad |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 920pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.4nC @ 4.5V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 5.2 A |
| RDS（ON） | 39 mOhms |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 系列 | NTLUS3A39PZ |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 5.2 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 39 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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