图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTLJS3113P |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Mar/2012 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15.7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1329pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 40@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | WDFN |
| 最大功率耗散 | 1900 |
| 最大连续漏极电流 | 5.8 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 6-WDFN (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1329pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15.7nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 5.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 40 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 1900 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 上升时间 | 17.5 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 17.5 ns |
NTLJS3113PTAG也可以通过以下分类找到
NTLJS3113PTAG相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家