图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTB,NTP30N06L |
| 文档 |
Multiple Devices 08/Apr/2011 |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 30A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 46 mOhm @ 15A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 32nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1150pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 88.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 30A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 其他名称 | NTB30N06LT4GOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 46 mOhm @ 15A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 88.2W |
| 标准包装 | 800 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1150pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 32nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 15 V |
| 连续漏极电流 | 30 A |
| 正向跨导 - 闵 | 21 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 46 mOhms |
| 功率耗散 | 88.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 15.6 ns |
| 上升时间 | 200 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 62 ns |
| 漏极电流（最大值） | 30 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �15 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 安装 | Surface Mount |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.046 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| associated | TP0006 273-AB |
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