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厂商型号:

NE5230DR2G

芯天下内部编号:
277-NE5230DR2G
生产厂商:

ON Semiconductor

microsemi
描述:
O
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
制造商类型 Low Voltage Amplifier
典型的单电源电压 3|5|9|12
安装 Surface Mount
轨至轨 No
包装宽度 4(Max)
PCB 8
Maximum Power Dissipation 500
最大双电源电压 ±7.5
最大输入偏置电流 0.15@±7.5V
Minimum PSRR 85
欧盟RoHS指令 Compliant
最大电源电流 1.6@±7.5V
典型增益带宽积 0.6
典型电压增益 126.02
电源类型 Single|Dual
每个芯片的通道数 1
最低CMRR 85
最低工作温度 0
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 70
最大单电源电压 15
最小双电源电压 ±0.9
典型双电源电压 ±3|±5
关机支持 No
包装长度 5(Max)
引脚数 8
Maximum Input Offset Current 0.05@±7.5V
类型 General Purpose Amplifier
最大输入失调电压 3@±7.5V
最小单电源电压 1.8
包装高度 1.5(Max)
封装 Tape and Reel
典型的转换率 0.25@±7.5V
技术 Bipolar
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 32mA
放大器类型 General Purpose
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-SOIC N
输出类型 Rail-to-Rail
工作温度 0°C ~ 70°C
电流 - 电源 1.1mA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V
标准包装 2,500
压摆率 0.25 V/µs
电流 - 输入偏压 40nA
电压 - 输入偏移 400µV
电路数 1
增益带宽积 600kHz
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NE5230DR2GOSCT
工厂包装数量 2500
封装/外壳 SOIC-8
最小双电源电压 +/- 0.9 V
工作电源电压 1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Operational Amplifiers - Op Amps
共模抑制比 - 闵 85 dB
通道数 1 Channel
最高工作温度 + 70 C
关机 No Shutdown
最大双电源电压 +/- 7.5 V
RoHS RoHS Compliant
输出电流 6 mA
电源电流 0.11 mA
输入失调电压 3 mV
最低工作温度 0 C
输入偏置电流 - 最大 150 nA
放大器类型 低电压
典型双电源电压 ±0.9 → ±9V
每片芯片通道数目 1
Board Level Components Y
典型电压增益 100 V/mV
典型单电源电压 1.8 → 15 V
典型转换速率 0.25V/µs
安装类型 表面贴装
电源类型 双,单
最低工作温度 0 °C
高度 1.5mm
最高工作温度 +70 °C
宽度 4mm
封装类型 SOIC
引脚数目 8
长度 5mm
典型输入电压噪声密度 60nV/√Hz
典型增益带宽积 600kHz
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
电源类型 Single, Dual
工作电源电流 110 uA
双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V
Ib - Input Bias Current 150 nA
PSRR - Power Supply Rejection Ratio 85 dB
产品 Operational Amplifiers
GBP - Gain Bandwidth Product 250 kHz
品牌 ON Semiconductor
Vcm - Common Mode Voltage Negative Rail + 0.25 V to Positive Rail - 0.25 V
SR - Slew Rate 0.09 V/us
en - Input Voltage Noise Density 60 nV/sqrt Hz
长度 5 mm (Max)
电源电压 - 最大 15 V
电源电压 - 最小 1.8 V
电压增益dB 126.02 dB
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 85 dB
Vos - Input Offset Voltage 3 mV
系列 NE5230
Output Current per Channel 6 mA
身高 1.5 mm (Max)
Pd - Power Dissipation 500 mW

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