ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | 30 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 24000 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 4800@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220F |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 15.88(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 24W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 325pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 高度 | 16.12mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.63mm |
| 典型输入电容值@Vds | 325 pF @ 25 V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.9mm |
| 尺寸 | 10.63 x 4.9 x 16.12mm |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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