图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:122990 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:11163 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:108000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 MUN5315DW1, NSBC114TPDXV6 |
| 文档 |
Copper Wire 08/Jun/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 供应商封装形式 | SC-88 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最小直流电流增益 | 160@5mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 0.9 |
| 典型输入电阻 | 10 |
| 最大功率耗散 | 385 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@0.3mA@10mA |
| 包装宽度 | 1.25 |
| 安装 | Surface Mount |
| PCB | 6 |
| 包装长度 | 2 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 配置 | Dual |
| 类型 | NPN|PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 160 @ 5mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 典型输入电阻 | 10 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 160 at 5 mA at 10 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 160 @ 5mA, 10V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 系列 | MUN5315DW1 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 160 at 5 mA at 10 V |
| Pd - Power Dissipation | 187 mW |
| 长度 | 2 mm |
| 身高 | 0.9 mm |
| 通道数 | 2 Channel |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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