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ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| RoHS | No |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 功率耗散 | 1 W |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-92-3 (TO-226) |
| 封装 | Ammo |
| 连续集电极电流 | 1 A |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 4000, 25000 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 寿命 | Obsolete |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最小直流电流增益 | 4000@1A@5V|25000@200mA@5V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 最大基地发射极电压 | 12 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5@2mA@1A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Formed |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 1GHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 2mA, 1A |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 4000 @ 1A, 5V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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