图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMBTA13LT1, 14LT1 |
| 文档 |
Copper Wire 19/May/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 300mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 10000 @ 100mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | 125MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 峰值直流集电极电流 | 0.3 A |
| 最小直流电流增益 | 5000@10mA@5V|10000@100mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@0.1mA@100mA V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@0.1mA@100mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.3 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 300mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 125MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10000 @ 100mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 5000, 10000 |
| 集电极最大直流电流 | 0.3 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 300 mAdc |
| 高度 | 1.01mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V |
| 最大连续集电极电流 | 300 mA |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 宽度 | 1.4mm |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| 最小直流电流增益 | 5000 |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V |
| 最大集电极-基极截止电流 | 100nA |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 系列 | MMBTA13L |
| 身高 | 0.94 mm |
| 长度 | 2.9 mm |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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