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厂商型号:

MJE802G

芯天下内部编号:
277-MJE802G
生产厂商:

on semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-225
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 80 V
峰值直流集电极电流 4 A
最小直流电流增益 100@4A@3V
最大集电极发射极饱和电压 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4A V
安装 Through Hole
标准包装 Boxed
标准包装 Bulk
供应商封装形式 TO-225
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 80
Maximum Emitter Base Voltage 5
封装 Bulk
最大集电极发射极饱和电压 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
Maximum Continuous DC Collector Current 4
最低工作温度 -55
铅形状 Through Hole
引脚数 3
最大功率耗散 40000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2.5V @ 30mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO225AA
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 1.5A, 3V
其他名称 MJE802GOS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 100
集电极最大直流电流 4 A
最大集电极截止电流 100 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 40 W
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 4 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-225
极性 NPN
元件数 1
直流电流增益 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
集电极 - 发射极饱和电压 2.5 V
集电极电流(DC ) 4 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :40W
DC Collector Current :4A
DC Current Gain hFE :750
Operating Temperature Min :-55°C
No. of Pins :3
Weight (kg) 0.00068
Tariff No. 85412100
Current,Gain 100
Current,Input 0.1A
Current,Output 4A
PackageType TO-225
PowerDissipation 40W
PrimaryType Si
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 3V
Voltage,Input 5V
Voltage,Output 80V

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