所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-225 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 100@4A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Boxed |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | TO-225 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Bulk |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| 电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
| 供应商设备封装 | TO225AA |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 750 @ 1.5A, 3V |
| 其他名称 | MJE802GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 最大集电极截止电流 | 100 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 40 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流( DC)(最大值) | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-225 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.5 V |
| 集电极电流(DC ) | 4 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| 功耗 | :40W |
| DC Collector Current | :4A |
| DC Current Gain hFE | :750 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.00068 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Current,Gain | 100 |
| Current,Input | 0.1A |
| Current,Output | 4A |
| PackageType | TO-225 |
| PowerDissipation | 40W |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 3V |
| Voltage,Input | 5V |
| Voltage,Output | 80V |
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