1. MJD117-1G
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厂商型号

MJD117-1G 

产品描述

Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail

内部编号

277-MJD117-1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:225
75+¥4.027
750+¥2.568
1500+¥1.979
3750+¥1.684
7500+¥1.656
最小起订量:75
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:225
25+¥4.027
50+¥3.946
最小起订量:25
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:4497
1+¥4.3761
10+¥3.6513
100+¥2.2223
1000+¥1.7163
2500+¥1.4633
10000+¥1.3607
25000+¥1.2923
50000+¥1.2308
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MJD117-1G产品详细规格

规格书 MJD117-1G datasheet 规格书
MJD117-1G datasheet 规格书
MJD112,117
MJD117-1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
晶体管类型 PNP - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 20µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大 1.75W
频率转换 25MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装 I-Pak
包装材料 Tube
包装 3DPAK-3
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 100 V
峰值直流集电极电流 2 A
最小直流电流增益 500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V
最大集电极发射极饱和电压 2@8mA@2A|3@40mA@4A V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
产品种类 Transistors Darlington
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 PNP
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
集电极最大直流电流 2 A
最大集电极截止电流 20 uA
功率耗散 20 W
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TO-252-3 (DPAK)
封装 Tube
连续集电极电流 2 A
直流集电极/增益hfe最小值 200, 500, 1000
最低工作温度 - 65 C
工厂包装数量 75
最大的基射极饱和电压 4@40mA@4A
最大集电极发射极饱和电压 2@8mA@2A|3@40mA@4A
包装宽度 2.38(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1750
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -65
供应商封装形式 DPAK-3
标准包装名称 IPAK
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 2
包装长度 6.73(Max)
最大集电极发射极电压 100
包装高度 6.35(Max)
最大基地发射极电压 5
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 25MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 20µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 I-Pak
功率 - 最大 1.75W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 2A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 4 A
集电极 - 基极电压 100 V
集电极 - 发射极电压 100 V
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
发射极 - 基极电压 5 V
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 DPAK-SL
极性 PNP
元件数 1
直流电流增益 500
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 4 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 2 A
宽度 2.38 mm
长度 6.73 mm
系列 MJD117
身高 6.22 mm
Pd - Power Dissipation 20 W
品牌 ON Semiconductor

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