图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:20 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:11 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:11 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 标准包装 | 100 |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 30A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 4V @ 300mA, 30A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 1000 @ 20A, 5V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 频率转换 | 4MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-204AA, TO-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 包装材料 | Tray |
| 动态目录 | PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15240?mpart=MJ11015G&vendor=488&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3TO-204 |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 120 V |
| 峰值直流集电极电流 | 30 A |
| 最小直流电流增益 | 200@30A@5V|1000@20A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 3@200mA@20A|4@300mA@30A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Trays |
| 最大的基射极饱和电压 | 3.5@200mA@20A|5@300mA@30A |
| 标准包装名称 | TO-3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 最大集电极发射极电压 | 120 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tray |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 30 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 3@200mA@20A|4@300mA@30A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 120 |
| 供应商封装形式 | TO-204 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 200000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 30A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 300mA, 30A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 20A, 5V |
| 其他名称 | MJ11015GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
| 身高 | 8.51mm |
| 长度 | 39.37mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 5 V |
| 最大集电极基极电压 | 120 V |
| 最大连续集电极电流 | 30 A |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +200 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-204 |
| 宽度 | 26.67mm |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 30 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 200 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 120 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 30 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 30 A |
| 集电极 - 基极电压 | 120 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 120 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -55C to 200C |
| 极性 | PNP |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 3 V |
| 直流电流增益 | 200 |
| 基射极饱和电压（最大值） | 3.5 V |
| 集电极电流（DC ） | 30 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :120V |
| 功耗 | :200W |
| DC Collector Current | :30A |
| DC Current Gain hFE | :1000 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :200°C |
| Transistor Case Style | :TO-3 |
| No. of Pins | :2 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Av Current Ic | :30A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :-3V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :30A |
| Current Ic Continuous a Max | :30A |
| Current Ic hFE | :20A |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Min | :4MHz |
| Hfe Min | :1000 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +200°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :200W |
| Voltage Vcbo | :120V |
| Weight (kg) | 0.0115 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Gain | 200 |
| Current,Input | 1A |
| Current,Output | 30A |
| Current,Output,Leakage | 1mA |
| PackageType | TO-204AA(TO-3) |
| PowerDissipation | 200W |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 4V |
| Voltage,Input | 5V |
| Voltage,Output | 120V |
| 案例 | TO3 |
| Transistor type | PNP |
| 功率 | 200W |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 120V |
| Gross weight | 0.01 kg |
| Collector current | 30A |
| Collective package [pcs] | 100 |
| spg | 100 |
| associated | MJ11015 FK 201SA-3 AKK 191 SK 04/50 SA MK3304 |
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