ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | * |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2200pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20.5nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 系列 | MCH6351 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 9 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 16.9 mOhms |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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