ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±5 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 1.6 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 40@2.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | MCPH |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 2 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 0.88(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate, 0.9V Drive |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 800 mV @ 1mA |
| 封装/外壳 | 3-SMD, Flat Leads |
| 供应商设备封装 | 3-MCPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 2A, 2.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 630pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 2.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| 功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | - 5 C |
| 栅极电荷Qg | 11 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 63 ns |
| 上升时间 | 49 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 57 ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 630 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.85mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 0.8V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±5 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 8.9 ns |
| 典型关断延迟时间 | 63 ns |
| 封装类型 | MCPH |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 2.5 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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