ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商设备封装 | 3-MCPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 50 mOhm @ 2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 430pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.7nC @ 4.5V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| RDS（ON） | 50 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.85mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 430 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns |
| 封装类型 | MCHP |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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