图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 EMH2409 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 59 mOhm @ 2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 4.4nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 240pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 1.7 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1200 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 59@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | Sot-383FL |
| 标准包装名称 | Sot-383 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.75 |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A |
| 供应商设备封装 | 8-EMH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 59 mOhm @ 2A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 240pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.4nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| RDS（ON） | 59 mOhms |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | EMH-8 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.75mm |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 消耗 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 155 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 1.2 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 2 x 1.7 x 0.75mm |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 6.2 ns |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns |
| 封装类型 | SOT |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
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