ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-CPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 375pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.6nC @ 4.5V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 3 A |
| RDS（ON） | 83 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.9mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 375 pF@ -10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 196 mΩ |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 8.1 ns |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns |
| 封装类型 | CPH |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.6 nC @ -4.5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 系列 | CPH3350 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 3 A |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 83 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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