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数量:1607 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:26855 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:26855 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
BMS3003 |
| 封装 | Ammo |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220F-3SG |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 39A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 78A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 13200pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 285nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 系列 | BMS3003-1E |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 78 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 技术 | Si |
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