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#1 |
数量:19450 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:19450 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:300 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 封装 | Ammo |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220F-3FS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.3A (Tc) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 710pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 36nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | BFL4004 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
| 技术 | Si |
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