规格书 |
![]() ![]() BD675(A),77(A),79(A),81 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 750 @ 1.5A, 3V |
功率 - 最大 | 40W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO225AA |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-225 |
配置 | Single |
类型 | NPN |
最大集电极发射极电压 | 45 V |
峰值直流集电极电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 750@1.5A@3V |
最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A V |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Boxed |
标准包装 | Bulk |
供应商封装形式 | TO-225 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 45 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Box |
最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 45 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
最低工作温度 | -55 |
铅形状 | Through Hole |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 40000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | TO225AA |
功率 - 最大 | 40W |
封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 750 @ 1.5A, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
外形尺寸 | 7.74 x 2.66 x 11.04mm |
身高 | 11.04mm |
长度 | 7.74mm |
最大集电极基极电压 | 45 V |
最大集电极截止电流 | 0.2mA |
最大连续集电极电流 | 4 A |
最大基地发射极电压 | 5 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-225 |
宽度 | 2.66mm |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | Transistors Darlington |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 750 |
集电极最大直流电流 | 4 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :45V |
Transition Frequency ft | :1MHz |
功耗 | :40W |
DC Collector Current | :4A |
DC Current Gain hFE | :750 |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-225AA |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Av Current Ic | :4A |
Collector Emitter Voltage Vces | :2.5V |
连续集电极电流Ic最大 | :4A |
Current Ic Continuous a Max | :4A |
Current Ic hFE | :1.5A |
Device Marking | :BD675 |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Hfe Min | :750 |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Power Dissipation Ptot Max | :40W |
Voltage Vcbo | :45V |
Weight (kg) | 0.00064 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | FK 213 SA-32 MK3311 |
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