on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SMCP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.15 A |
| RDS -于 | 3700@4V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 19 ns |
| 典型上升时间 | 65 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 155 ns |
| 典型下降时间 | 120 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Minimum Operating Temperature | -55 |
| Package Height | 0.75 |
| 最大功率耗散 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 3700@4V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 0.8 |
| 供应商封装形式 | SMCP |
| Package Length | 1.6 |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 0.15 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 150mA (Ta) |
| 封装/外壳 | SC-75, SOT-416 |
| 供应商设备封装 | SMCP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.58nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Qg - Gate Charge | 1.58 nC |
| 下降时间 | 120 ns |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 150 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.4 Ohms |
| 系列 | 3LN01S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| 上升时间 | 65 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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